隨著 1.4 奈米晶圓代工競賽進入關鍵階段，台積電 (2330-TW) 、英特爾 (INTC-US) 與三星三大晶圓巨頭正展開不同戰略布局。

台積電穩步推進 1.4 奈米製程，預計 2028 年量產；英特爾則將重心從 18A 轉向 14A，調整戰略搶市；而三星則因財務壓力宣布延後 1.4 奈米量產至 2029 年，各家企業選擇揭示晶圓代工格局正在重塑。

台積電穩健推進 14A 製程　2028 年目標不變

在 1.4 奈米先進製程的競爭中，台積電技術穩健發展，預計 2028 年量產。

A14 為第二代奈米片（Nanosheet）電晶體，並採用 NanoFlex Pro 標準單元架構，在相同功率下速度提升 10-15%，相同速度功耗降低 25-30%，邏輯密度提升 1.2 倍。

值得注意的是，台積電在新節點的研發上，對於新技術的採用始終保持相對謹慎和保守姿態。

專家指出，此舉是為避免多項未驗證技術同時上線，有助縮短良率「爬坡期」，提升量產穩定性與交付效率。

英特爾調整戰略　重押 14A 製程取代 18A

另一邊，英特爾晶圓代工部門的日子也不好過。根據《路透》報導，英特爾執行長陳立武正考慮將資源重心從 18A 轉向 14A，放棄前任 CEO 格爾辛格（Patrick Gelsinger）主推的 18A 節點。

18A 導入 RibbonFET 與 PowerVia 等先進技術，但主要為內部產品設計，對外部客戶吸引力有限。《路透》指出，英特爾的 18A 製程被認為與台積電的 3 奈米製程處於同一水準。

英特爾 14A 預計 2027 年進行風險試產，並將採用採用第二代環繞閘極技術 RibbonFET 2 和第二代背面供電網路 PowerDirect，搭配 Turbo Cells 強化效能與功耗表現，預期效能提升 15-20%、晶片密度提升近 30%、功耗降低 25% 以上。

值得一提的是，英特爾在 High NA EUV 曝光設備的部署上走在前列，已經在安裝了第二台 High NA EUV，但英特爾仍面臨重重障礙。

台積電和三星等競爭對手正在積極擴展自身製程，而英特爾為保持領先地位而每年投入的 400 多億美元資本支出，可能會使其資產負債表捉襟見肘。

同時，14A 製程節點 2026 年的發佈時間表也取決於能否解決高數值孔徑 EUV 光刻機的良率問題，鑑於 ASML 的此類光刻機供應有限，這項任務十分複雜。

此外，儘管微軟 18A 晶片順利推進，輝達 (NVDA-US) 與超微半導體 (AMD-US) 等 AI 巨頭仍偏好台積電，英特爾需透過 14A 證明其製程具備競爭力。

三星宣布延後 1.4 奈米量產至 2029 年

與此同時，三星也於早先宣布，原訂 2027 年量產的 1.4 奈米製程將延後至 2029 年，原計畫今年啟動的測試線也延宕至年底或明年。

這比台積電的 2028 年時間表還晚一年，顯示三星在晶圓代工的競爭力恐再被稀釋。

此舉被外界解讀為因應連年虧損的策略轉向。2023 年三星晶圓代工部門虧損高達 4 兆韓元，2024 年首季仍虧損 2 兆韓元。

因此，三星選擇暫停對 1.4 奈米的高額投入，轉而專注於提升 2 奈米製程良率與成熟工藝效益。

目前三星 2 奈米良率僅約 40%，遠低於台積電的 60% 穩定門檻。三星已成立專案小組全力確保新款處理器 Exynos 2600 的順利量產，並爭取來自特斯拉 (TSLA-US) 、高通 (QCOM-US) 等美國大客戶的 2 奈米訂單。