輝達在官網大篇幅宣揚800VDC電源架構，強調高壓直流供電逐步成為下一代AI伺服器重要發展方向。由於800VDC需要導入大量高耐壓、高效率的碳化矽（SiC）元件，輝達力推800VDC，讓長期耕耘碳化矽的漢磊（3707）、嘉晶（3016）等台廠同步扮演輝達電力大革命要角，商機爆發。

業界指出，AI伺服器機櫃功率密度持續攀升，傳統低電壓、大電流供電方式面臨銅耗、散熱及轉換效率等瓶頸，將電壓拉高至800V之後，可降低相同功率下的電流，進一步減少線路損耗與銅材使用量，不過高電壓環境也對功率半導體耐壓、效率及高頻切換能力提出更高要求。

碳化矽因具備高耐壓、耐高溫及低導通損耗等特性，相較傳統矽基功率元件，更適合高功率密度應用，成為輝達力推800VDC新架構重要受惠技術之一。

台廠積極搶進800VDC帶來的碳化矽商機，其中，漢磊是台灣少數具備碳化矽功率元件晶圓代工能力的業者，目前已建立4吋、6吋碳化矽製程平台，產品涵蓋蕭特基二極體（SBD）及MOSFET，並持續推進新一代碳化矽MOSFET製程。

隨AI資料中心、高階電源及能源基礎設施朝更高電壓發展，市場對1200V等級以上功率元件需求有機會增加，漢磊既有高壓碳化矽製程布局，也可望從過去以車用、工控為主的應用，進一步延伸至AI伺服器電源供應鏈。

嘉晶居碳化矽產業鏈更上游，主要切入磊晶材料領域，近年強化擴大碳化矽與氮化鎵（GaN）磊晶布局，並推進大尺寸晶圓技術。由於碳化矽效能與良率高度取決於磊晶品質，800VDC架構帶動碳化矽功率元件用量提升，上游磊晶需求也將同步增加，嘉晶受惠大。

業界認為，輝達罕見高調為800VDC架構定調，意味AI基礎建設投資正從GPU、交換器，逐步擴散至電源與能源管理，隨著800VDC成為下一代AI資料中心重要電源規格，碳化矽用量隨之大增，嘉晶掌握上游碳化矽磊晶，漢磊具備功率元件晶圓代工能力，將成為台灣第三代半導體供應鏈搶攻AI電力商機的另一大贏家。