隨著高壓快充與AI資料中心對供電效率的要求提高，碳化矽(SiC)平台應用正從傳統電動車與工控系統，擴大至AI伺服器電源與800V直流供電設備，磊晶廠漢磊(3707-TW)發表最新一代Gen5 SiC DMOS 技術平台，透過工程與結構微縮技術，實現比導通電阻與功率密度的顯著躍進，該平台為漢磊客戶提供高良率、高品質且具成本競爭力方案。

法人指出，為因應全球AI、高效能運算(HPC)、電動車與次世代綠能基礎設施的爆發性成長，漢磊新一代Gen5 SiC DMOS 技術將單元 pitch微縮至 3.3 μm，單位面積導通電阻降，使導通損耗較前代降低 12%，整體元件效能提升約15%，此項突破不僅能在相同晶片面積下顯著降低發熱量，更能有效縮小晶片尺寸，也協助客戶簡化散熱模組設計並降低系統物料成本。

漢磊表示，平台延續平面型架構的優勢，維持極佳的閘極氧化層可靠度與的短路耐受時，目前1200V產品的晶圓測試率已穩定突破90%以上，兼顧極致效能、長期可靠度與高量產成本優勢。

在產品應用布局上，漢磊指出，從「車用核心」延伸至「AI 綠能基建」的多元落地能力，Gen5平台已依循車規 AEC-Q101與模組規範 AQG 324 陸續推進客戶端驗證，鎖定三大高階應用：一、新能源車載系統：涵蓋電動車主驅逆變器、車載充電器(OBC)及高壓 DC-DC 轉換器。

二、次世代 AI 資料中心：對應800V HVDC 高壓直流供電架構之 AI 伺服器電源，助益「以更低電損換取更高算力」。

三、智慧電網與綠能儲能：包含儲能系統、太陽能逆變器(PV Inverter)、固態變壓器及高壓超充樁，未來更規劃延伸至3.3kV以上超高壓領域。

漢磊總經理劉燦文表示，化合物半導體的競爭已跨入效能、可靠度、良率與產能交付的綜合較量，Gen5新技術平台的發表，驗證了漢磊在元件結構微縮上的能力，未來公司將持續深化在地純晶圓代工布局與產能擴充。