三五族磊晶廠IET-KY(4971-TW)英特磊於今(12)日舉辦法說會，並公告今(2026)年第3季財報，受惠於國防相關銻化鎵及砷化鎵訂單增加，挹注高毛利產品出貨比重提升，單季稅後純益5,900萬元、季增高214.31%、年增98.06%，EPS為1.26元。展望未來，英特磊董事長高永中表示，明(2027)年隨著磷化銦(InP)基板供應緩解加上新產品陸續量產、國防產品放量，公司對業績呈現樂觀看待。

英特磊第3季營收為3.19億元、年增26.84%；稅後純益為5,900萬元、季增214.31%、年增98.06%；營業毛利1.24億元、年增55.07%；毛利率38.72%、年增7個百分點； 營業利益率18.16%、年增4.7個百分點。

累計前3季營收9.08億元、年增19.3%，毛利率40.72%，營業利益1.76億元、年增76.14%；稅後純益1.57億元，EPS為3.58元，已超越去年全年度獲利。法人推估英特磊今年全年獲利有望挑戰歷史新高。

高永中表示，公司在第3季國防客戶需求明顯增溫，也帶動高附加價值的磊晶產品出貨增加，推升營收季增24.64%，毛利率也第2季提高，加上產品組合改善帶動本業獲利提升及客戶需求強勁，目前公司在半導體基板及關鍵原料價格亦明顯上漲，公司將持續與客戶協商調整售價，適度反映材料成本變化。

高永中強調，今年前3季營業利益年增逾七成，營業利益率亦較去年同期提高7.1個百分點，主要為本業營運改善帶來的獲利成長。

在國防產品線部分，高永中指出，GaSb(銻化鎵)紅外線探測器磊晶片受惠國防客戶今年底加速下單，估202年國防和商用訂單規模將持續擴大，公司規劃明年啟動第四台GaSb生產機台，提升供貨效率，產品亦獲國防及商用大廠第四季追加訂單，出貨動能可望延續。

磷化銦部分，仍為英特磊最大核心產品線，受惠AI資料中心高速傳輸需求成長，PIN PD磊晶片訂單持續增加，惟產出仍受限於InP基板供應短缺，公司正透過協助歐洲供應商改善良率、自行研磨回收基板等方式增加原料來源；新興APD及HBT磊晶產品亦準備於2027年導入量產。

新產品研發上，英特磊也強調，持續開發量子點雷射(QD Laser0及變晶型PIN磊晶片，目前QD Laser初期研發表現超過預期，而m-PIN採用價格較低、供應相對穩定的GaAs基板生長InP PIN結構，有機會在InP基板缺貨情況下切入部分光接收器(PD)市場，降低對傳統InP基板的依賴，成為未來AI高速光通訊的重要技術布局。

產能布局上，高永中強調，德州新廠2期預計2027年第1季完工，德州晶片法案補助持續按期請款，美國聯邦晶片法案補助預期今年底完成簽約。與光聖(6442-TW)換股後持有的股權列為長期策略性金融資產，相關公允價值變動反映於其他綜合損益及股東權益，不影響當期EPS。

展望2027年，英特磊將以國防高毛利產品擴產、InP基板供應改善及新產品量產為三大成長方向，在國防與AI高速光通訊雙重需求帶動下，爭取營收及本業可望獲利持續成長。